電梯功率模塊是以IGBT為內(nèi)核的先進(jìn)混合集成功率部件，由高速低功耗管芯(IGBT)和優(yōu)化的門極驅(qū)動(dòng)電路，以及快速保護(hù)電路構(gòu)成。IPM內(nèi)的IGBT管芯都選用高速型的，而且驅(qū)動(dòng)電路緊靠IGBT，驅(qū)動(dòng)延時(shí)小，所以IPM開(kāi)關(guān)速度快，損耗小。IPM內(nèi)部集成了能連續(xù)檢測(cè)IGBT電流和溫度的實(shí)時(shí)檢測(cè)電路，當(dāng)發(fā)生嚴(yán)重過(guò)載甚至直接短路時(shí)，以及溫度過(guò)熱時(shí)，IGBT將被有控制地軟關(guān)斷，同時(shí)發(fā)出故障信號(hào)。此外IPM還具有橋臂對(duì)管互鎖、驅(qū)動(dòng)電源欠壓保護(hù)等功能。盡管IPM價(jià)格高一些，但由于電梯功率模塊集...

富士IGBT-PIM模塊zui早將IGBT模塊引入中國(guó)市場(chǎng)。經(jīng)過(guò)幾十年的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體器件已成為國(guó)內(nèi)UPS、變頻器、電鍍電源領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用，已成為經(jīng)典使用器件！富士IGBT-PIM模塊是一款性價(jià)比非常高的功率模塊，制作精致，價(jià)格低廉，已成為國(guó)內(nèi)進(jìn)口功率模塊的，性能與價(jià)格的結(jié)合。IPM是InligentPowerModule的縮寫(xiě)，中文資料一般將其譯為“智能功率模塊”；，IM是PowerIntegratedModule的縮寫(xiě)，中文意思是功率集成模塊。實(shí)際上富士IGBT-...

可關(guān)斷晶閘管廠家產(chǎn)品也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1僅繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式?？申P(guān)斷晶閘管廠家可關(guān)斷晶閘管亦稱門控晶閘管，是大功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體的供應(yīng)商器件的一種，可作為VVVF牽引逆變器逆變器的供應(yīng)商使用，用于控制供鐵路車輛使用的交流牽引電動(dòng)機(jī)。可關(guān)斷晶閘管廠家可關(guān)斷晶閘管主要特點(diǎn)是當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管普通晶閘管的...

西門子快速熔斷器的熔體是由純銀制成的，由于純銀的電阻率低、延展性好、化學(xué)穩(wěn)定性好，因此快速熔斷器的熔體可做成薄片，且具有圓孔狹頸結(jié)構(gòu)。發(fā)生短路故障時(shí)，狹頸處電流密度大，故狹頸處首先熔斷，并被石英砂分隔成許多小段。這樣，由于熔體熔斷而形成的電弧就被石英砂分隔成許多小段，電弧電流較小，分布的空間小，易被消弧劑吸收。又由于石英砂是絕緣的，電弧熄滅后立即形成一個(gè)絕緣體，將電路分?jǐn)??？焖偃蹟嗥魇且环N西門子快速熔斷器的一種，快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體...

可關(guān)斷晶閘管廠家靠門極正信號(hào)觸發(fā)之后，撤掉信號(hào)亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷，必須切斷電源，使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強(qiáng)近關(guān)斷。這就需要增加換向電路，不僅使設(shè)備的體積重量增大，而且會(huì)降低效率，產(chǎn)生波形失真和噪聲?？申P(guān)斷晶閘管廠家克服了上述缺陷，可關(guān)斷晶閘管廠家既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)，又具有自關(guān)斷能力，因而在使用上比普通晶閘管方便，是理想的高壓、大電流開(kāi)關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)電力晶體管(GTR)，只是工作頻率比GTR低。目前，GTO已達(dá)到...

整流二極管模塊是一種先進(jìn)的功率開(kāi)關(guān)器件，具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點(diǎn),以及MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)高輸入阻抗、高開(kāi)關(guān)頻率和低驅(qū)動(dòng)功率的優(yōu)點(diǎn)。而且IPM內(nèi)部集成了邏輯、控制、檢測(cè)和保護(hù)電路，使用起來(lái)方便,不僅減小了系統(tǒng)的體積以及開(kāi)發(fā)時(shí)間，也大大增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性，適應(yīng)了當(dāng)今功率器件的發(fā)展方向--模塊化、復(fù)合化和功率集成電路(PIC)，在電力電子領(lǐng)域得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。近二十年來(lái)專業(yè)生產(chǎn)各類電力半導(dǎo)體模塊的工藝制造技術(shù)，設(shè)計(jì)能力，工藝和測(cè)...

ST英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致ST英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)和驅(qū)動(dòng)器損壞。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出性能的計(jì)算方法以供選型時(shí)參考。ST英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)igbt模塊以能讓其正常工作，并同時(shí)對(duì)其進(jìn)行保護(hù)的電路。絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在今天的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，在實(shí)際使用中除ST英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)自身外，ST英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來(lái)說(shuō)同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。因此，在...

PM300CLA120三菱IPM模塊功率器件的一些特性：PM300CLA120三菱IPM模塊（InligentPowerModule）不僅把功率開(kāi)關(guān)器件和驅(qū)動(dòng)電路集成在一起，。而且還內(nèi)藏有過(guò)電壓，過(guò)電流和過(guò)熱等故障檢測(cè)電路，并可將檢測(cè)信號(hào)送到CPU。它由高速低工耗的管芯和優(yōu)化的門級(jí)驅(qū)動(dòng)電路以及快速保護(hù)電路構(gòu)成。即使發(fā)生負(fù)載事故或使用不當(dāng)，也可以IPM自身不受損壞。PM300CLA120三菱IPM模塊一般使用IGBT作為功率開(kāi)關(guān)元件，并內(nèi)藏電流傳感器及驅(qū)動(dòng)電路的集成結(jié)構(gòu)，以其高...

由于西門康IGBT模塊供應(yīng)為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：1、在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸西門康IGBT模塊供應(yīng)端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；2、在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊；3、盡量在底板良好接地的情況下操作。在應(yīng)用...

可控硅模塊分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有*陽(yáng)極A1（T1），第二陽(yáng)極A2（T2）、控制極G三個(gè)引出腳。只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓...

北京英飛凌IGBT模塊(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。北京英飛凌IGBT模塊適合應(yīng)用于直流電壓為60...

整流二極管模塊是一種交流電源為直流功率半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體整流二極管的制造可作為鍺或硅材料。整流二極管的主要功能是低頻半波整流電路，如需實(shí)現(xiàn)全波整流橋整流橋連接使用。它通常包含一個(gè)與陽(yáng)極和陰極兩端的一個(gè)。載體區(qū)域的磷孔，氮的面積是電子的載體。NP加地區(qū)相對(duì)面積的正當(dāng)電壓大電流、低電壓（通常為0.7V），稱為正向?qū)顟B(tài)。如果相反的是反向電壓，小電流（反向漏電流），稱為反向阻塞狀態(tài)。整流二極管具有明顯的單向?qū)щ娦?。整流二極管模塊是利用單向?qū)щ娞匦缘墓夂?，將交流變?yōu)橹绷骷y波。整流二...

西門子快速熔斷器廣泛適用于交流會(huì)30/400/690/1000V及其以下,額定工作電流為0.5-12的電氣線路中,作為導(dǎo)線和設(shè)備的故障保護(hù)。西門子快速熔斷器的應(yīng)用領(lǐng)域不斷開(kāi)拓與擴(kuò)大，已從住宅建筑-電氣安裝，延伸到高層建筑、工業(yè)、供電行業(yè)(EVU)以及設(shè)備制造、開(kāi)關(guān)設(shè)備與工業(yè)控制系統(tǒng)。西門子快速熔斷器擔(dān)負(fù)的主要任務(wù)是為電線電纜作過(guò)載與短路保護(hù)，不論短路電流值有多高，它都能切斷。其次，也適宜用作設(shè)備和電器的保護(hù)。西門子快速熔斷器能擔(dān)負(fù)的任務(wù)與使用條件有:·為避免出現(xiàn)不必要的運(yùn)行事...

整機(jī)產(chǎn)量巨大是造成消費(fèi)電子用IGBT需求量位于五大應(yīng)用領(lǐng)域*的主要原因，在工業(yè)控制、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、計(jì)算機(jī)、汽車電子領(lǐng)域中，消費(fèi)電子產(chǎn)品對(duì)于IGBT的需求量zui大。憑借著較高的單價(jià)，工業(yè)控制用IGBT在銷售量低于消費(fèi)電子的情況下銷售額實(shí)現(xiàn)反超IGBT是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件。IGBT的應(yīng)用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。鑒于IGBT的參數(shù)特性，IGBT開(kāi)發(fā)之初主要應(yīng)用在電...

伴隨科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和低碳經(jīng)濟(jì)的要求，逆變器在各行各業(yè)中應(yīng)用飛速發(fā)展，而北京英飛凌IGBT模塊,是目前逆變器中使用的主流開(kāi)關(guān)器件，也在逆變結(jié)構(gòu)中起核心作用。采用IGBT進(jìn)行功率變換，能夠提高用電效率，改善用電質(zhì)量。新型IGBT逆變技術(shù)是推動(dòng)我國(guó)低碳經(jīng)濟(jì)發(fā)展戰(zhàn)略的突破口，同時(shí)緩解能源，資源和環(huán)境等方面的壓力，加快轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)方式，促進(jìn)信息化帶動(dòng)工業(yè)化，提高國(guó)家經(jīng)濟(jì)安全性，起著重要作用，因此，北京英飛凌IGBT模塊,在逆變器中的正確選擇與使用，有著舉足輕重的作用。逆變技術(shù)對(duì)IGBT...

IGBT的損耗主要由通態(tài)損態(tài)和開(kāi)關(guān)損耗組成，不同的開(kāi)關(guān)頻率，開(kāi)關(guān)損耗和通態(tài)損耗所占的比例不同。而決定IGBT通態(tài)損耗的飽和壓降VCE(sat)和決定IGBT開(kāi)關(guān)損耗的開(kāi)關(guān)時(shí)間（ton，toff）又是一對(duì)矛盾，因此應(yīng)根據(jù)不同的開(kāi)關(guān)頻率來(lái)選擇不同特征的IGBT。在低頻如fk北京英飛凌IGBT模塊。對(duì)于英飛凌產(chǎn)品需選用后綴為“KE3”或“DLC”系列IGBT；但北京英飛凌IGBT模塊后綴為“KT3”系列飽和壓降與“KE3”系列飽和壓降相近，“KT3”比“KE3”開(kāi)關(guān)損耗降低20％左...

由于北京英飛凌IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊；盡量在底板良好接地的情況下操作。在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓...

北京英飛凌IGBT模塊絕緣柵雙極型晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor）,它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來(lái)的新型復(fù)合器件。英飛凌IGBT模塊將MOSFET與GTR的優(yōu)點(diǎn)集于一身，既有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓驅(qū)動(dòng)型，又具有通態(tài)壓降低、高電壓、大電流的優(yōu)點(diǎn)。接下來(lái)小編將以英飛凌IGBT模塊為例，為大家簡(jiǎn)單介紹一下關(guān)于北京英飛凌IGBT模塊選型、保存以及使用的相關(guān)信息！1、北京英飛凌IGBT模塊的選型要點(diǎn)：英飛凌模塊選型的電壓規(guī)格...

北京英飛凌IGBT模塊是絕緣柵雙極型晶體管(IsolatedGateBipolarTransistor),它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來(lái)的新型復(fù)合電力電子器件。IGBT將MOSFET與GTR的優(yōu)點(diǎn)集于一身，既有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓驅(qū)動(dòng)型，又具有通態(tài)壓降低、高電壓、大電流的優(yōu)點(diǎn)。功率從五千瓦到幾百千瓦的應(yīng)用場(chǎng)合。IGBT器件將不斷開(kāi)拓新的應(yīng)用領(lǐng)域，為節(jié)能、為新能源、工業(yè)自動(dòng)化(高頻電焊機(jī),高頻超聲波,逆變器,斬波器,UPS/EPS,感應(yīng)加熱)提供了新的...

CM200DU-24H三菱IGBT模塊，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。CM200DU-24H三菱IGBT模塊非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電...