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    產(chǎn)品展示/ Product display

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    英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7

    英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7
    北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷(xiāo)售IGBT模塊;可控硅模塊;晶閘管;二極管模塊;整流橋模塊;PLC模塊;電容;變頻器備件
    第七代IGBT英飛凌FF600R12KE7

    • 產(chǎn)品型號(hào):FF800R12KE7
    • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷(xiāo)商
    • 更新時(shí)間:2024-10-14
    • 訪  問(wèn)  量:2181
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    詳細(xì)介紹

    英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7

    北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷(xiāo)售英飛凌IGBT模塊;可控硅模塊;整流橋模塊;二極管模塊;晶閘管;IPM模塊

    產(chǎn)品參數(shù):

     

    FF800R12KE7  IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 半橋 1200 V 800 A 底座安裝 AG-62MM 雙低飽和和快速溝槽 IGBT 模塊,

    帶有 TRENCHSTOP™ IGBT7 和發(fā)射極控制的 7 二極管。

    62 mm 1200 V, 800 A 低飽和壓降的Fast trench IGBT半橋模塊,采用TRENCHSTOP™ IGBT7和發(fā)射極控制第7代二極管。也可提供預(yù)涂導(dǎo)熱介質(zhì)版本。

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    產(chǎn)品規(guī)格:

    IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止

    配置:半橋

    電壓 - 集射極擊穿:1200 V

    電流 - 集電極 (Ic):800 A

    電流 - 集電極截止:100 µA

    不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies):122 nF @ 25 V

    輸入:標(biāo)準(zhǔn)

    NTC 熱敏電阻:無(wú)

    工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)

    安裝類(lèi)型:底座安裝

    封裝/外殼:模塊

    供應(yīng)商器件封裝:AG-62MM

    產(chǎn)品特征:

    高功率密度

    的 VCE,SAT

    Tvj op = 175°C 過(guò)載

    高爬電距離和電氣間隙

    符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

    4 kV AC 1 分鐘絕緣

    CTI > 400 的封裝

    通過(guò) UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認(rèn)證

    優(yōu)勢(shì):北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司供應(yīng)英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7

    具有更高電流能力的現(xiàn)有封裝,允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

    高功率密度

    避免 IGBT 模塊并聯(lián)

    通過(guò)簡(jiǎn)化逆變器系統(tǒng)降低系統(tǒng)成本

    靈活性

    高的可靠性

    產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域:

    不間斷電源(UPS)

    儲(chǔ)能系統(tǒng)

    電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)

    商用、建筑和農(nóng)用車(chē)輛 (CAV)

    變頻器

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    IGBT是什么?

    IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

    IGBT與MOSFET的對(duì)比

    MOSFET全稱(chēng)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

    優(yōu)點(diǎn):熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

    缺點(diǎn):擊穿電壓低,工作電流小。北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司供應(yīng)英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7

    IGBT全稱(chēng)絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

    特點(diǎn):擊穿電壓可達(dá)1200V,集電極最大飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上,工作頻率可達(dá)20kHz。

    IGBT的典型應(yīng)用

    電動(dòng)機(jī)

    不間斷電源

    太陽(yáng)能面板安裝

    電焊機(jī)

    電源轉(zhuǎn)換器與反相器

    電感充電器

    電磁爐

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    第七代IGBT型號(hào):

     

    FF900R12ME7P_ B11

    FF450R12ME7_ B11

    FF900R12ME7W_ _B11

    FF900R12ME7_ B11

    FF600R12ME7_ B11

    FF800R12KE7

    FF300R12ME7_ B11

    FF750R12ME7_ _B11

    FF750R17ME7D_ B11

    FF225R17ME7_ _B11

    FF1800R23IE7P

    FF1800R23IE7

     

    FF2400RB12IP7P

    FF2400RB12IP7

    F3L400R10W3S7F_ B11

    F3L600R10W4S7F_ C22

    FS3L200R10W3S7F_ B94

    F3L 400R10W3S7_ _B11

    FS3L200R10W3S7F_ B11

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    FP15R12W1T7

    FP15R12W1T7P_ B11

    FP25R12W2T7

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    FP50R12W2T7

    FP35R12W2T7_ B11

    FP10R12W1T7_ B11

    FP35R12W2T7

    FP25R12W1T7_ B11

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    FP15R12W1T7P

    FP100R12W3T7 B11

     
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