IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

北京京誠(chéng)宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)三菱IGBT模塊CM100E3U-12H 

MITSUBISHI IGBT MODULES

CM100E3U-12H 產(chǎn)品特點(diǎn)：

• Low Drive Power
• Low VCE(sat)
• Discrete Super-Fast Recovery Free-Wheel Diode
• High Frequency Operation
• Isolated Baseplate for Easy Heat Sinking

三菱推出開關(guān)頻率20～ 60KHz的NFH及NFM系列IGBT，

應(yīng)用于逆變焊機(jī)及醫(yī)療儀器 特征：

● 采用快速關(guān)斷CSTBT硅片，目標(biāo)開關(guān)頻率20～ 60KHz

● 低電感封裝技術(shù)

● 耐功率循環(huán)能力強(qiáng)（High Power Cycle）

● 寬范圍的額定電流等級(jí): 100A～400A/600V，100A～ 600A / 1200V

三菱IGBT模塊目標(biāo)應(yīng)用：

● 醫(yī)療儀器，如 CT 和 MRI

● 逆變焊機(jī)

● 電信用UPS

CM100E3U-12H 產(chǎn)品參數(shù)：

VCES=600V   IC=100A

CM50E3Y-12E

CM50E3U-12E 
CM75E3U-12E

CM75E3Y-12E
CM100E3U-12E

CM100E3Y-12E 
CM150E3Y-12E

CM150E3U-12E 
CM200E3Y-12E

CM200E3U-12E
CM300E3Y-12E

CM300E3U-12E 
CM300E2U-12H

CM400YE2P-12F 
CM400YE2N-12F

CM300YE2N-12F 
CM300YE2P-12F

CM600YE2N-12F 
CM600YE2P-12F

CM110YE4-12F
CM150YE4-12F

CM165YE4-12F 
CM200YE4-12F